高分子材料分析儀

   隨著對正電子和正電子素及其與物質(zhì)相互作用特性的深入了解，使正電子湮沒技術(shù)在原子物理、分子物理、固態(tài)物理、表面物理、化學(xué)及生物學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，并取得*的研究成果。它在諸如檢驗量子電動力學(xué)基本理論、研究弱相互作用、基本對稱性及天體物理等基礎(chǔ)科學(xué)中也發(fā)揮了重要作用。同時，隨著人們對正電子湮沒技術(shù)方法學(xué)上研究的深入進(jìn)展，使這一門引人注目的新興課題得到更快的發(fā)展。
   實驗用放射源²²Na，其衰變綱圖如右圖所示。該源發(fā)生 衰變放出一個正電子后幾乎同時（僅遲3 ps左右）還發(fā)射一個能量為1.28 MeV的 光子。因此，測量1.28 MeV的 光子與正電子湮沒后放出的 光子（0.511 MeV）之間的時間間隔，就可得到正電子壽命。對每個湮沒事件都可測得湮沒過程所需時間。對足夠多的湮沒事件（~10⁶個）進(jìn)行統(tǒng)計，就可得到一個正電子湮沒壽命譜。
 

高分子材料分析儀?
  系統(tǒng)集成測試報告參數(shù)：
                                系統(tǒng)時間分辨率（用50μCi ⁶⁰Co源測量）：
                                保證值：≤ 200ps；
                               典型值：≤ 180ps